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GXF-215B 數(shù)顯式硅酸根分析儀
GXF-215B 數(shù)顯式硅酸根分析儀（0~50.0μg/LsiO2）
| 測(cè)量范圍 | 0~50.0μg/LsiO2 | ||||
| 基本誤差 | ≤±2.0μg/L | ||||
| 重復(fù)性誤差 | ≤±0.2μg/L | ||||
| 短期漂移（30分鐘） | ≤±0.2μg/L | ||||
| 長(zhǎng)期漂移（24小時(shí)） | ≤±2.0μg/L | ||||
| 化學(xué)方法 | 硅鉬蘭光度法GB 12150—89 | ||||
GXF-215B 數(shù)顯式硅酸根分析儀（0~50.0μg/LsiO2）
| 測(cè)量范圍 | 0~50.0μg/LsiO2 | ||||
| 基本誤差 | ≤±2.0μg/L | ||||
| 重復(fù)性誤差 | ≤±0.2μg/L | ||||
| 短期漂移（30分鐘） | ≤±0.2μg/L | ||||
| 長(zhǎng)期漂移（24小時(shí)） | ≤±2.0μg/L | ||||
| 化學(xué)方法 | 硅鉬蘭光度法GB 12150—89 | ||||
GXF-215B 數(shù)顯式硅酸根分析儀（0~50.0μg/LsiO2）
| 測(cè)量范圍 | 0~50.0μg/LsiO2 | ||||
| 基本誤差 | ≤±2.0μg/L | ||||
| 重復(fù)性誤差 | ≤±0.2μg/L | ||||
| 短期漂移（30分鐘） | ≤±0.2μg/L | ||||
| 長(zhǎng)期漂移（24小時(shí)） | ≤±2.0μg/L | ||||
| 化學(xué)方法 | 硅鉬蘭光度法GB 12150—89 | ||||
GXF-215B 數(shù)顯式硅酸根分析儀（0~50.0μg/LsiO2）
| 測(cè)量范圍 | 0~50.0μg/LsiO2 | ||||
| 基本誤差 | ≤±2.0μg/L | ||||
| 重復(fù)性誤差 | ≤±0.2μg/L | ||||
| 短期漂移（30分鐘） | ≤±0.2μg/L | ||||
| 長(zhǎng)期漂移（24小時(shí)） | ≤±2.0μg/L | ||||
| 化學(xué)方法 | 硅鉬蘭光度法GB 12150—89 | ||||
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